SQ1922EEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
НОВА часть #:
303-2251363-SQ1922EEH-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ1922EEH-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 840mA (Tc) 1.5W Surface Mount SC-70-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-70-6 | |
| Базовый номер продукта | SQ1922 | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 840mA (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 400mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 50pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 1.5W | |
| Другие имена | SQ1922EEH-T1_GE3TR SQ1922EEH-T1_GE3DKR SQ1922EEH-T1_GE3CT SQ1922EEH-T1_GE3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- MMST3904-7-FDiodes Incorporated
- KDZVTR39ARohm Semiconductor
- SQ2348ES-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ1912AEEH-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ872EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ1912EH-T1_GE3Vishay Siliconix
- DMP3125L-7Diodes Incorporated
- SQ3585EV-T1_GE3Vishay Siliconix
- SI1926DL-T1-E3Vishay Siliconix
- SQ1539EH-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQ1922AEEH-T1_GE3Vishay Siliconix





