DRDNB16W-7
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
НОВА часть #:
304-2063638-DRDNB16W-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DRDNB16W-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
| Категория | Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно смещенные | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-363 | |
| Базовый номер продукта | DRDNB16 | |
| Ряд | - | |
| Резистор - база (R1) | 1 kOhms | |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 10 kOhms | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
| Частота – переход | 200 MHz | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 500nA | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 600 mA | |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | |
| Мощность - Макс. | 200 mW | |
| Другие имена | DRDNB16WDITR DRDNB16WDICT DRDNB16W7 DRDNB16WDIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AS1M-HFComchip Technology
SN74LVC1G18DBVRTexas Instruments
2342-05-000Coto Technology
DMG3402L-7Diodes Incorporated- DMG2305UX-7Diodes Incorporated
AD8620ARZAnalog Devices Inc.
BZT52C3V9T-7Diodes Incorporated
US1GWF-7Diodes Incorporated