RN1108MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
НОВА часть #:
304-2061921-RN1108MFV,L3F
Производитель:
Номер детали производителя:
RN1108MFV,L3F
Стандартный пакет:
8,000
Технический паспорт:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
| Категория | Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно смещенные | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | VESM | |
| Базовый номер продукта | RN1108 | |
| Ряд | - | |
| Резистор - база (R1) | 22 kOhms | |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 kOhms | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
| Пакет/кейс | SOT-723 | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 500nA | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100 mA | |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | |
| Мощность - Макс. | 150 mW | |
| Другие имена | RN1108MFVL3FTR RN1108MFV,L3F(T RN1108MFVL3FCT RN1108MFVL3FDKR RN1108MFV,L3F(B RN1108MFVL3F RN1108MFVL3F-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
RN2102MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and Storage