FJB102TM
TRANS NPN DARL 100V 8A TO263
НОВА часть #:
301-2022187-FJB102TM
Производитель:
Номер детали производителя:
FJB102TM
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A - 80 W Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | FJB102 | |
| Ряд | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 2.5V @ 80mA, 8A | |
| Частота – переход | - | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 50µA | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 100 V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 8 A | |
| Тип транзистора | NPN - Darlington | |
| Мощность - Макс. | 80 W | |
| Другие имена | FJB102TMTR 2156-FJB102TM-OS FJB102TMCT FJB102TMDKR ONSONSFJB102TM |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- MJB5742T4Gonsemi
- KSH122TMFairchild Semiconductor
- BUK9K25-40EXNexperia USA Inc.
- KSC5502DTMonsemi
- NSS40301MZ4T1Gonsemi
- BUB941ZTT4STMicroelectronics
- MJD6039T4Gonsemi
- 2STBN15D100STMicroelectronics
- MJD122T4STMicroelectronics
- FZT600BTADiodes Incorporated











