MJD45H11G
TRANS PNP 80V 8A DPAK
НОВА часть #:
301-2035896-MJD45H11G
Производитель:
Номер детали производителя:
MJD45H11G
Стандартный пакет:
75
Технический паспорт:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
| Категория | Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одиночные | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DPAK | |
| Базовый номер продукта | MJD45 | |
| Ряд | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A | |
| Частота – переход | 90MHz | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 1µA | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 80 V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 8 A | |
| Тип транзистора | PNP | |
| Мощность - Макс. | 1.75 W | |
| Другие имена | ONSFSCMJD45H11G MJD45H11GOS MJD45H11G-ND 2156-MJD45H11G-OS |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- BZG05C12-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- US2MAonsemi
- MJD44H11Gonsemi
- MCQ4407B-TPMicro Commercial Co
- MJD45H11AJNexperia USA Inc.
- D45H11STMicroelectronics
- BZG05C18-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- NJVMJD45H11Gonsemi
- MJD45H11T4STMicroelectronics
- BZG05C4V7-M3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division








