RN1907FE,LF(CT

More Information
Категория	Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные
Производитель	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	ES6
Базовый номер продукта	RN1907
Ряд	-
Пакет/кейс	SOT-563, SOT-666
Резистор - база (R1)	10kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)	47kOhms
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Частота – переход	250MHz
Ток — отсечка коллектора (макс.)	100nA (ICBO)
Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.)	50V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	100mA
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.	100mW
Другие имена	RN1907FELF(CBDKR RN1907FE(T5LFT)CT RN1907FELF(CTDKR RN1907FELF(CTCT RN1907FE(T5LFT)TR-ND RN1907FE(T5LFT)DKR-ND RN1907FE,LF(CB RN1907FE(T5LFT)CT-ND RN1907FELF(CBTR RN1907FELF(CBTR-ND RN1907FELF(CBCT-ND RN1907FELF(CBDKR-ND RN1907FE(T5LFT)TR RN1907FELF(CBCT RN1907FE(T5L,F,T) RN1907FELF(CTTR RN1907FE(T5LFT)DKR