RN1902FE,LF(CT
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
НОВА часть #:
299-2013332-RN1902FE,LF(CT
Производитель:
Номер детали производителя:
RN1902FE,LF(CT
Стандартный пакет:
4,000
Технический паспорт:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
| Категория | Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | ES6 | |
| Базовый номер продукта | RN1902 | |
| Ряд | - | |
| Пакет/кейс | SOT-563, SOT-666 | |
| Резистор - база (R1) | 10kOhms | |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 1kOhms | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| Частота – переход | 250MHz | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 100nA (ICBO) | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 50V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA | |
| Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | |
| Мощность - Макс. | 100mW | |
| Другие имена | RN1902FE(T5L,F,T) RN1902FE(T5LFT)TR RN1902FELF(CTCT RN1902FELF(CTTR RN1902FE(T5LFT)TR-ND RN1902FE(T5LFT)CT RN1902FE(T5LFT)CT-ND RN1902FE(T5LFT)DKR RN1902FELF(CTDKR RN1902FE,LF(CB RN1902FE(T5LFT)DKR-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MUN5211T1Gonsemi
EMH11T2RRohm Semiconductor
RUM002N05T2LRohm Semiconductor
BD33IC0WHFV-GTRRohm Semiconductor
NTK3043NT1Gonsemi
RN4902FE,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
