MUN5312DW1T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
НОВА часть #:
299-2013385-MUN5312DW1T1G
Производитель:
Номер детали производителя:
MUN5312DW1T1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA - 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
| Категория | Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, предварительно смещенные | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| Базовый номер продукта | MUN5312 | |
| Ряд | - | |
| Пакет/кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Резистор - база (R1) | 22kOhms | |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 22kOhms | |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| Частота – переход | - | |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 500nA | |
| Пробой напряжения коллектор-эмиттер (макс.) | 50V | |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 100mA | |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | |
| Мощность - Макс. | 250mW | |
| Другие имена | MUN5312DW1T1GOSDKR MUN5312DW1T1GOSCT MUN5312DW1T1GOSTR MUN5312DW1T1G-ND |
In stock Нужно больше?
0,07600 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CO2520-0.032768-3.3-50-X-TRRaltron Electronics
MC34064D-5R2Gonsemi
ASMB-TTF0-0A20BBroadcom Limited
AP7381-33Y-13Diodes Incorporated
DMMT3904W-7-FDiodes Incorporated
210-4MSCTS Electrocomponents
510KBA25M0000BAGSkyworks Solutions Inc.
PUMD2,115Nexperia USA Inc.- AP7381-50Y-13Diodes Incorporated
