SSM6J512NU,LF
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
НОВА часть #:
312-2285058-SSM6J512NU,LF
Производитель:
Номер детали производителя:
SSM6J512NU,LF
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 6-UDFNB (2x2) | |
| Базовый номер продукта | SSM6J512 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | U-MOSVII | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 10A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 8V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 4A, 8V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19.5 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-WDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1400 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1.25W (Ta) | |
| Другие имена | SSM6J512NU,LF(T SSM6J512NULFCT SSM6J512NULFTR SSM6J512NULFDKR SSM6J512NU,LF(B |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SSM6J511NU,LFToshiba Semiconductor and Storage
JJLV0UT1070NOPPRTBTE Connectivity ALCOSWITCH Switches
PMEG6020ELRXNexperia USA Inc.
SN74AUP2G125DCURTexas Instruments
