IRF6717MTRPBF

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	DIRECTFET™ MX
Базовый номер продукта	IRF6717
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	38A (Ta), 200A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.25mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	69 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	DirectFET™ Isometric MX
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	25 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	6750 pF @ 13 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.8W (Ta), 96W (Tc)
Другие имена	IRF6717MTRPBFDKR SP001525458 IRF6717MTRPBF-ND IRF6717MTRPBFCT IRF6717MTRPBFTR