2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
НОВА часть #:
312-2284044-2V7002KT1G
Производитель:
Номер детали производителя:
2V7002KT1G
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 320mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | 2V7002 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 320mA (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 24.5 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300mW (Tj) | |
| Другие имена | 2V7002KT1GOSCT 2V7002KT1GOSTR 2156-2V7002KT1G ONSONS2V7002KT1G 2V7002KT1G-ND 2V7002KT1GOSDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
MMBT3906-7-FDiodes Incorporated
BZX84C3V3-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
IPD95R2K0P7ATMA1Infineon Technologies
EM6K31T2RRohm Semiconductor- DMN61D8LQ-7Diodes Incorporated
2N7002KMDD- DMN61D8L-7Diodes Incorporated