FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
НОВА часть #:
312-2282679-FDD16AN08A0
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD16AN08A0
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 50A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD16AN08 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | UltraFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A (Ta), 50A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 75 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1874 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 135W (Tc) | |
| Другие имена | FDD16AN08A0TR FDD16AN08A0-ND 2156-FDD16AN08A0-OS FDD16AN08A0DKR FDD16AN08A0CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FDD16AN08A0_NLFairchild Semiconductor
IRFR3607TRPBFInfineon Technologies
STD65N55F3STMicroelectronics
