FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
НОВА часть #:
312-2291129-FQD7N30TM
Производитель:
Номер детали производителя:
FQD7N30TM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 300 V 5.5A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FQD7N30 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.5A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 2.75A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 300 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 610 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | |
| Другие имена | FQD7N30TM-ND FQD7N30TMTR FQD7N30TMCT FQD7N30TMDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ECS-200-18-5PX-JES-TRECS Inc.
S1PM-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes Division
BC817-16LT3Gonsemi
PBSS4350X,115Nexperia USA Inc.
NCP1117ST50T3Gonsemi
UCC28700DBVRTexas Instruments- AU1PM-M3/84AVishay General Semiconductor - Diodes Division
