SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2295826-SI7148DP-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7148DP-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 75 V 28A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7148 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 28A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 75 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2900 pF @ 35 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 5.4W (Ta), 96W (Tc) | |
| Другие имена | SI7148DP-T1-E3CT SI7148DP-T1-E3DKR SI7148DPT1E3 SI7148DP-T1-E3TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
VB40100C-E3/4WVishay General Semiconductor - Diodes Division
MBRB2060CTGonsemi
SI7148DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSS123LT1Gonsemi
