SIDR170DP-T1-RE3

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MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2263564-SIDR170DP-T1-RE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIDR170DP-T1-RE3

Embalagem padr?o:

3,000

N-Channel 100 V 23.2A (Ta), 95A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8DC
Número do produto base	SIDR170
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	23.2A (Ta), 95A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	140 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	6195 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Outros nomes	742-SIDR170DP-T1-RE3CT 742-SIDR170DP-T1-RE3TR 742-SIDR170DP-T1-RE3DKR