SIR104DP-T1-RE3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SIR104
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	18.3A (Ta), 79A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4230 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	5.4W (Ta), 100W (Tc)
Outros nomes	SIR104DP-T1-RE3CT SIR104DP-T1-RE3DKR SIR104DP-RE3 SIR104DP-T1-RE3TR

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!