PMZ600UNEYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Número da pe?a NOVA:
312-2284005-PMZ600UNEYL
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PMZ600UNEYL
Embalagem padr?o:
10,000
Ficha técnica:
N-Channel 20 V 600mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount SOT-883
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-883 | |
| Número do produto base | PMZ600 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-101, SOT-883 | |
| Vgs (Máx.) | ±8V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) | |
| Outros nomes | 1727-2323-6 1727-2323-1 1727-2323-2 568-12609-6 PMZ600UNEYL-ND 934068653315 568-12609-2 568-12609-1 568-12609-2-ND 568-12609-1-ND 568-12609-6-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SSM3K35CT,L3FToshiba Semiconductor and Storage
PMZ600UNELYLNexperia USA Inc.
NX3008NBK,215Nexperia USA Inc.
DMN2400UFB-7Diodes Incorporated
TXS0102YZTRTexas Instruments
RV1C002UNT2CLRohm Semiconductor
RV2C010UNT2LRohm Semiconductor
NCP164AMT280TAGonsemi
DMN2550UFA-7BDiodes Incorporated
MIC5504-1.8YMT-TRMicrochip Technology
MAAL-011078-TR1000MACOM Technology Solutions
SI7155DP-T1-GE3Vishay Siliconix
PMEG2010BELD,315NXP Semiconductors
TPS7A0315PDQNRTexas Instruments
