SI4100DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2287828-SI4100DY-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI4100DY-T1-GE3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | SI4100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 4.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 600 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) | |
| Outros nomes | SI4100DYT1GE3 SI4100DY-T1-GE3DKR SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3CT SI4100DY-T1-GE3TR |
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