IRF7473TRPBF
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO
Número da pe?a NOVA:
312-2288094-IRF7473TRPBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRF7473TRPBF
Embalagem padr?o:
4,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SO | |
| Número do produto base | IRF7473 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | HEXFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.9A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 4.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3180 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Ta) | |
| Outros nomes | IRF7473PBFDKR SP001555418 IRF7473TRPBFTR-ND *IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF-ND IRF7473PBFCT IRF7473PBFTR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IRF7473PBFInternational Rectifier
SI4100DY-T1-GE3Vishay Siliconix
FDS86141onsemi
IRFS4127TRLPBFInfineon Technologies
