DMTH10H1M7STLWQ-13

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MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10

Número da pe?a NOVA:

312-2298218-DMTH10H1M7STLWQ-13

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

DMTH10H1M7STLWQ-13

Embalagem padr?o:

1,500

Ficha técnica:

N-Channel 100 V 250A (Tc) 6W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Diodes Incorporated
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	POWERDI1012-8
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	250A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	147 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9871 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	6W (Ta), 250W (Tc)
Outros nomes	31-DMTH10H1M7STLWQ-13CT 31-DMTH10H1M7STLWQ-13DKR 31-DMTH10H1M7STLWQ-13TR