SUP90142E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
Número da pe?a NOVA:
312-2283495-SUP90142E-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SUP90142E-GE3
Embalagem padr?o:
500
Ficha técnica:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
| Número do produto base | SUP90142 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | ThunderFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 90A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 31200 pF @ 100 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- RGW60TS65CHRC11Rohm Semiconductor
- UJ4C075033K3SUnitedSiC
- A780MS107M1JLAV030KEMET
- SQP90142E_GE3Vishay Siliconix
- EPC2215EPC
- A780MS566M1JLAV030KEMET
- EEH-ZU1J151PPanasonic Electronic Components
- IRFB4227PBFInfineon Technologies
- SUP90140E-GE3Vishay Siliconix
- IPP110N20N3GXKSA1Infineon Technologies








