IRFB4227PBF

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MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB

Número da pe?a NOVA:

312-2283491-IRFB4227PBF

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IRFB4227PBF

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-220AB
Número do produto base	IRFB4227
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	65A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	98 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-220-3
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4600 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	330W (Tc)
Outros nomes	SP001565892