TSM2N100CH C5G
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
Número da pe?a NOVA:
312-2273662-TSM2N100CH C5G
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM2N100CH C5G
Embalagem padr?o:
3,750
Ficha técnica:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-251 (IPAK) | |
| Número do produto base | TSM2N100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.85A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 625 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 77W (Tc) | |
| Outros nomes | TSM2N100CH C5G-ND TSM2N100CHC5G |
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