APT8M100B
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Número da pe?a NOVA:
312-2278424-APT8M100B
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
APT8M100B
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247 [B] | |
| Número do produto base | APT8M100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8Ohm @ 4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±30V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1000 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1885 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 290W (Tc) | |
| Outros nomes | APT8M100BMI APT8M100BMI-ND |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
STW28NM50NSTMicroelectronics
IXTH5N100AIXYS
IRFPG50PBFVishay Siliconix
STU2NK100ZSTMicroelectronics
TSM2N100CH C5GTaiwan Semiconductor Corporation
