IPC100N04S5L1R5ATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-34
Número do produto base	IPC100
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 60µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±16V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5340 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	115W (Tc)
Outros nomes	IPC100N04S5L1R5ATMA1CT IPC100N04S5L1R5ATMA1TR 2156-IPC100N04S5L1R5ATMA1 SP001257556 IPC100N04S5L1R5ATMA1DKR ROCINFIPC100N04S5L1R5ATMA1

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