IPC100N04S51R2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Número da pe?a NOVA:
312-2282477-IPC100N04S51R2ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPC100N04S51R2ATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-34 | |
| Número do produto base | IPC100 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 90µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 131 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 7650 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 150W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001262620 IPC100N04S51R2ATMA1DKR IPC100N04S51R2ATMA1TR IPC100N04S51R2ATMA1CT |
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