BSS159NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2264925-BSS159NH6327XTSA2
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSS159NH6327XTSA2
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT23 | |
| Número do produto base | BSS159 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | SIPMOS® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 26µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4 nC @ 5 V | |
| Recurso FET | Depletion Mode | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 39 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) | |
| Outros nomes | BSS159NH6327XTSA2DKR BSS159NH6327XTSA2TR SP000919328 BSS159NH6327XTSA2CT |
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