BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Número da pe?a NOVA:
312-2263359-BSS169H6327XTSA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSS169H6327XTSA1
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-SOT23 | |
| Número do produto base | BSS169 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | SIPMOS® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 7 V | |
| Recurso FET | Depletion Mode | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 68 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 360mW (Ta) | |
| Outros nomes | BSS169H6327XTSA1TR SP000702572 BSS169 H6327DKR-ND BSS169 H6327-ND BSS169 H6327CT-ND BSS169H6327XTSA1DKR BSS169H6327XTSA1CT BSS169 H6327DKR BSS169 H6327TR INFINFBSS169H6327XTSA1 BSS169 H6327 BSS169 H6327TR-ND BSS169 H6327CT 2156-BSS169H6327XTSA1 |
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