TSM950N10CW RPG
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Número da pe?a NOVA:
312-2273012-TSM950N10CW RPG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM950N10CW RPG
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-223 | |
| Número do produto base | TSM950 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-261-4, TO-261AA | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 9W (Tc) | |
| Outros nomes | TSM950N10CWRPGTR TSM950N10CWRPGDKR TSM950N10CWRPGCT TSM950N10CW RPGTR-ND TSM950N10CW RPGDKR TSM950N10CW RPGCT-ND TSM950N10CW RPGTR TSM950N10CW RPGDKR-ND TSM950N10CW RPGCT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
NX3225GD-8MHZ-STD-CRA-3NDK America, Inc.
BUK98180-100A/CUXNexperia USA Inc.
BTS4140NHUMA1Infineon Technologies- BUK9875-100A/CUXNXP USA Inc.
FDT86102LZonsemi
MMSZ5237B-7-FDiodes Incorporated
DMP10H4D2S-7Diodes Incorporated- PHT6NQ10T,135Nexperia USA Inc.
ZXMN10A25GTADiodes Incorporated- ZVN4310GTADiodes Incorporated
- ZXMN10A11GTADiodes Incorporated
- BUK98150-55A/CUFNexperia USA Inc.
