IPT60R022S7XTMA1

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MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

Número da pe?a NOVA:

312-2283888-IPT60R022S7XTMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPT60R022S7XTMA1

Embalagem padr?o:

2,000

N-Channel 600 V 23A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-HSOF-8-2
Número do produto base	IPT60R022
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™S7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	23A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 23A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.44mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	150 nC @ 12 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	600 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5639 pF @ 300 V
Dissipação de energia (máx.)	390W (Tc)
Outros nomes	SP003330410 448-IPT60R022S7XTMA1DKR 448-IPT60R022S7XTMA1TR 448-IPT60R022S7XTMA1CT