IPT65R033G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Número da pe?a NOVA:
312-2263599-IPT65R033G7XTMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPT65R033G7XTMA1
Embalagem padr?o:
2,000
Ficha técnica:
N-Channel 650 V 69A (Tc) 391W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-HSOF-8-2 | |
| Número do produto base | IPT65R033 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ C7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 69A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 28.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.44mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerSFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 391W (Tc) | |
| Outros nomes | IPT65R033G7XTMA1CT 2156-IPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1-ND IPT65R033G7XTMA1DKR SP001456202 INFINFIPT65R033G7XTMA1 IPT65R033G7XTMA1TR |
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