BSC050N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/100A TDSON
Número da pe?a NOVA:
312-2288850-BSC050N10NS5ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSC050N10NS5ATMA1
Embalagem padr?o:
5,000
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 16A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TDSON-8-7 | |
| Número do produto base | BSC050 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ 5 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 72µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta), 136W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-BSC050N10NS5ATMA1TR SP001861032 448-BSC050N10NS5ATMA1DKR BSC050N10NS5ATMA1-ND 448-BSC050N10NS5ATMA1CT |
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