TSM900N10CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2263172-TSM900N10CP ROG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TSM900N10CP ROG
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 15A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252, (D-Pak) | |
| Número do produto base | TSM900 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 15A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1480 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) | |
| Outros nomes | TSM900N10CPROGDKR TSM900N10CP ROGCT TSM900N10CP ROGDKR TSM900N10CP ROGTR TSM900N10CP ROGTR-ND TSM900N10CPROGTR TSM900N10CP ROGDKR-ND TSM900N10CP ROGCT-ND TSM900N10CPROGCT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
FDD1600N10ALZonsemi
STD10NF10T4STMicroelectronics
DMN10H099SK3-13Diodes Incorporated
IRL530NSTRLPBFInfineon Technologies
SN74LVC1G08IDCKREPTexas Instruments- STLD128DNT4STMicroelectronics
- DMN10H100SK3-13Diodes Incorporated
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AUIRLR3410Infineon Technologies
