STD10NF10T4
MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
Número da pe?a NOVA:
312-2290521-STD10NF10T4
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
STD10NF10T4
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 13A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount DPAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | DPAK | |
| Número do produto base | STD10 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | STripFET™ II | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 13A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 50W (Tc) | |
| Outros nomes | 497-3153-6 497-3153-2-NDR 497-3153-1 497-3153-1-NDR 497-3153-2 |
In stock Precisa de mais?
0,68730 US$
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- BZX585-B11,115Nexperia USA Inc.
- GYC1J560MCQ1GSNichicon
- BUK7275-100A,118Nexperia USA Inc.
- FQD19N10TMonsemi
- DMN10H170SK3-13Diodes Incorporated
- BAS16LT3Gonsemi
- SN74AC14DRTexas Instruments
- IRFR3910TRLPBFInfineon Technologies
- CMPF4393 TR PBFREECentral Semiconductor Corp
- BC807-16LT3Gonsemi
- IRFR3910TRPBFInfineon Technologies
- S1J-13-FDiodes Incorporated









