SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Número da pe?a NOVA:
312-2284871-SI2369BDS-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI2369BDS-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | SI2369 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® Gen IV | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | +16V, -20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 745 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SI2369BDS-T1-GE3DKR 742-SI2369BDS-T1-GE3TR 742-SI2369BDS-T1-GE3CT |
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