SCT3080AW7TL

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-263-7
Número do produto base	SCT3080
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	104mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.6V @ 5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 18 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)	+22V, -4V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	571 pF @ 500 V
Dissipação de energia (máx.)	125W
Outros nomes	846-SCT3080AW7TLDKR 846-SCT3080AW7TLCT 846-SCT3080AW7TLTR

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