MSC040SMA120S
SICFET N-CH 1200V 64A TO268
Número da pe?a NOVA:
312-2275691-MSC040SMA120S
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
MSC040SMA120S
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 64A (Tc) 303W Surface Mount D3PAK
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D3PAK | |
| Número do produto base | MSC040 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 64A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 2mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 137 nC @ 20 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (Máx.) | +23V, -10V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1990 pF @ 1000 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 303W |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
UF3SC120040B7SUnitedSiC
SCT3080AW7TLRohm Semiconductor
G3R40MT12JGeneSiC Semiconductor
MSC080SMA120SMicrochip Technology
NVBG040N120SC1onsemi
SCT30N120HSTMicroelectronics
MSC060SMA070SMicrochip Technology- NTBG040N120SC1onsemi
MSC025SMA120SMicrochip Technology
MSC040SMA120B4Microchip Technology