IPTC019N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HDSOP-16
Número da pe?a NOVA:
312-2298973-IPTC019N10NM5ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPTC019N10NM5ATMA1
Embalagem padr?o:
1,800
Ficha técnica:
N-Channel 100 V 31A (Ta), 279A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-HDSOP-16-2 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | OptiMOS™ 5 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 279A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 210µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 16-PowerSOP Module | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) | |
| Outros nomes | 448-IPTC019N10NM5ATMA1CT 448-IPTC019N10NM5ATMA1DKR 448-IPTC019N10NM5ATMA1TR SP005447146 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
IAUS300N10S5N015TATMA1Infineon Technologies- IAUS300N08S5N012TATMA1Infineon Technologies
SIJH112E-T1-GE3Vishay Siliconix- IAUS260N10S5N019TATMA1Infineon Technologies
IPT026N10N5ATMA1Infineon Technologies- IAUS300N08S5N014TATMA1Infineon Technologies
- IPTC014N08NM5ATMA1Infineon Technologies
FDP2D3N10CFairchild Semiconductor- IAUS300N08S5N011TATMA1Infineon Technologies
NTMFS3D6N10MCLT1Gonsemi- IPTC012N08NM5ATMA1Infineon Technologies
BSC0802LSATMA1Infineon Technologies- IPTC015N10NM5ATMA1Infineon Technologies
