IPT026N10N5ATMA1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-HSOF-8-1
Número do produto base	IPT026
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™5
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	27A (Ta), 202A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 158µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8800 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	214W (Tc)
Outros nomes	448-IPT026N10N5ATMA1DKR 448-IPT026N10N5ATMA1TR SP003883420 448-IPT026N10N5ATMA1CT

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