PSMN1R5-25YL,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Número da pe?a NOVA:
312-2278851-PSMN1R5-25YL,115
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
PSMN1R5-25YL,115
Embalagem padr?o:
1,500
Ficha técnica:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Número do produto base | PSMN1R5 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchMOS™ | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 100A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SC-100, SOT-669 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 25 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4830 pF @ 12 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 109W (Tc) | |
| Outros nomes | 934063451115 568-4907-6-ND 568-4907-2 568-4907-1-ND 568-4907-2-ND 568-4907-1 1727-4275-1 568-4907-6 1727-4275-2 1727-4275-6 |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
PSMN2R0-30YL,115Nexperia USA Inc.- PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.
- PSMN1R1-25YLC,115Nexperia USA Inc.