SQS415ENW-T1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8W
Número do produto base	SQS415
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8W
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4825 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	62.5W (Tc)
Outros nomes	SQS415ENW-T1_GE3TR SQS415ENW-T1_GE3CT SQS415ENW-T1_GE3DKR

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