SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Número da pe?a NOVA:
312-2282220-SQS401EN-T1_BE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQS401EN-T1_BE3
Embalagem padr?o:
3,000
P-Channel 40 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8 | |
| Número do produto base | SQS401 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21.2 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1875 pF @ 20 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 62.5W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQS401EN-T1_BE3CT 742-SQS401EN-T1_BE3DKR 742-SQS401EN-T1_BE3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
- XRCGB24M000F0L00R0Murata Electronics
- SQS411ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQS401ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
- PMV164ENEARNexperia USA Inc.
- SSM3K72CFS,LFToshiba Semiconductor and Storage
- SQS415ENW-T1_GE3Vishay Siliconix
- SIS443DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7113DN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7611DN-T1-GE3Vishay Siliconix



