SQ3457EV-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Número da pe?a NOVA:
312-2361474-SQ3457EV-T1_BE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQ3457EV-T1_BE3
Embalagem padr?o:
3,000
P-Channel 30 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 6-TSOP | |
| Número do produto base | SQ3457 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6.8A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 705 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 5W (Tc) | |
| Outros nomes | 742-SQ3457EV-T1_BE3DKR 742-SQ3457EV-T1_BE3TR 742-SQ3457EV-T1_BE3CT |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
RQ6E050ATTCRRohm Semiconductor- RQ6E060ATTCRRohm Semiconductor
IRFTS9342TRPBFInfineon Technologies- RSQ035P03HZGTRRohm Semiconductor
NX3008PBK,215Nexperia USA Inc.
SI3457CDV-T1-E3Vishay Siliconix- SI3483DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI3483CDV-T1-E3Vishay Siliconix
- SQ3481EV-T1_BE3Vishay Siliconix
