RQ6E060ATTCR
MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Número da pe?a NOVA:
312-2290179-RQ6E060ATTCR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
RQ6E060ATTCR
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
P-Channel 30 V 6A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TSMT6 (SC-95) | |
| Número do produto base | RQ6E060 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6A (Ta) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.4mOhm @ 6A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25.9 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | P-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 15 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 950mW (Ta) | |
| Outros nomes | RQ6E060ATTCRCT RQ6E060ATTCRDKR RQ6E060ATTCRTR |
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