IRFD020PBF
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4DIP
Número da pe?a NOVA:
312-2264378-IRFD020PBF
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IRFD020PBF
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
N-Channel 50 V 2.4A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 4-HVMDIP | |
| Número do produto base | IRFD020 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | 4-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 50 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1W (Tc) | |
| Outros nomes | *IRFD020PBF |
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