SI8416DB-T2-E1

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Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	6-Micro Foot™ (1.5x1)
Número do produto base	SI8416
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	16A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	6-UFBGA
Vgs (Máx.)	±5V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	8 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1470 pF @ 4 V
Dissipação de energia (máx.)	2.77W (Ta), 13W (Tc)
Outros nomes	SI8416DB-T2-E1-ND SI8416DB-T2-E1DKR SI8416DB-T2-E1CT SI8416DB-T2-E1TR

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