SI2342DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23
Número da pe?a NOVA:
312-2280339-SI2342DS-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI2342DS-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000
Ficha técnica:
N-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Número do produto base | SI2342 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 7.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15.8 nC @ 4.5 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±5V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 8 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1070 pF @ 4 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 2.5W (Tc) | |
| Outros nomes | SI2342DS-T1-GE3-ND SI2342DS-T1-GE3DKR SI2342DS-T1-GE3CT SI2342DS-T1-GE3TR |
In stock Entre em contato conosco.
N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.
Encontramos outros produtos que você pode gostar!
SN74LVC1G04DBVTTexas Instruments
SN74LVC2G08IDCTRQ1Texas Instruments
BSN20-7Diodes Incorporated
MC74HC73ADR2Gonsemi- DMN3023L-7Diodes Incorporated
