ISP75DP06LMXTSA1

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MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4

Número da pe?a NOVA:

312-2296110-ISP75DP06LMXTSA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

ISP75DP06LMXTSA1

Embalagem padr?o:

1,000

P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-SOT223-4
Número do produto base	ISP75DP06
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.1A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 77µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	60 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	120 pF @ 30 V
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Outros nomes	2156-ISP75DP06LMXTSA1 SP004987274 ISP75DP06LMXTSA1-ND INFINFISP75DP06LMXTSA1 448-ISP75DP06LMXTSA1DKR 448-ISP75DP06LMXTSA1CT 448-ISP75DP06LMXTSA1TR