BSH108,215

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MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB

Número da pe?a NOVA:

312-2284567-BSH108,215

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSH108,215

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

N-Channel 30 V 1.9A (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Nexperia USA Inc.
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-236AB
Número do produto base	BSH108
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	190 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.)	830mW (Tc)
Outros nomes	568-6216-1 568-6216-2 1727-4925-6 934055571215 BSH108 T/R BSH108,215-ND 568-6216-1-ND 1727-4925-2 1727-4925-1 BSH108215 BSH108 T/R-ND 568-6216-6 568-6216-2-ND 568-6216-6-ND