BSM180C12P2E202
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Número da pe?a NOVA:
312-2278788-BSM180C12P2E202
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BSM180C12P2E202
Embalagem padr?o:
4
Ficha técnica:
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Chassis Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Module | |
| Número do produto base | BSM180 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 204A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 35.2mA | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | Module | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -6V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 20000 pF @ 10 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 1360W (Tc) |
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